3D프린터, 반도체기술 선도 삼성전자 수직구조 V-낸드플래시 가속화 평택공장

 

 

 

3D 프린터 기술이 최근 이슈화가 되고 있는듯하다.

전 세계적으로 앞으로 산업의 혁명을 바꾸게 될것이라고 많은 사람들은 내다보고 있다.

 

3D 기술 가운데 반도체 기술또한 더욱 그러한것 같다.

 

반도체 칩을 생산하는데 있어서 트랜지스터의 크기가 생산성과 원가 절감에 큰 비중을 차지 하고 있어서

최근 보도된 YTN 사이언스 내용의 프로그램을 통해수 살펴보았다.

 

삼성전자는 세계최초 3D 3차원구조로 V-낸드를 개발하였다.

3차원 반도체에 대한 이해를 위해 다음 영상들을 통해 살펴보자.

 

3D반도체기술로 생산하고 있는 인텔

트랜지스터가 20nm이하의 작은 크기에서도 작동이 가능하다.

20나노미터는 머리카락의 1/5000 정도의 크기를 말한다.

 

벌크 핀펫 OFF 상태에서 전력소모가 매우 작다.
또한 벌크 핀텟(트랜지스터)가 on 상태가 되었을때 전류가 크게 흘러 속도를 빨리 할수 있는 장점이 있다.

 

인텔에서 3D 트랜스터 CPU를 Ivy Bridge라 하여 양산하고 있다.
Ivy Bride는 전 세계 최신 컴퓨터의 CPU로 사용중에 있다고 한다.

 

4Gb 디램= 40억개의 셀이 있다.
각 셀에는 하나의 트랜지스터와 전하 저장부품으로 구성되어 있다.

2차원트랜지스터에서 누설전류를 줄이기 위해 2004년부터 3D구조 도입했다고 한다.

 

 

DRAM과는 다른 비휘발성 메모리는 대표적으로 낸드플래시 메모리가 있다.

인텔이 3중 게이트 트랜지스터를 개발했지만 삼성전자는
3차원 수직형 낸드 플래시 메모리 3D V-낸드 양산한다고 발표했다.

 

 

셀 수명 10배, 쓰기속도 2배, 소비전력 1/2로 저하시키고 칩 생산량이 높아
생산성 향상에 높은 기대를 한다.

 

차세대 3D반도체 모형은 CPU+디램+플래시메모리+논리회로를 모두 하나로 연결하여 하나의 시스템으로 가능할것으로 보고 있다.

삼성전자가 추진하고 있는 3D낸드의 발전과 3D반도체시장은 앞으로도 엄청난 변화가 예상되고 있다..

삼성전자는 글로벌경쟁에서 평택라인공장에 64단 3D낸드를 생산 시작될것을 보도하였다.

 

     삼성전자 3D낸드와 플랙서블 올레드로 부품사업 성장 모색

▲ 권오현 삼성전자 부회장 겸 삼성디스플레이 대표.
이세철 NH투자증권 연구원은 25일 “3D낸드 수요증가를 감안할 때 삼성전자가 평택에서 생산할 첫번째 제품은 64단 3D낸드가 될 것”이라며 “삼성전자는 평택라인 구축을 통해 3D낸드 기술력을 강화하며 인텔을 넘어서는 반도체회사로 성장할 것”이라고 내다봤다.

삼성전자는 평택에 기존 기흥과 화성사업장을 합친 수준인 87만 평 규모의 반도체 생산라인을 조성하고 있는데 특히 3D낸드 공정설비를 갖추는 데 역점을 두고 있는 것으로 알려졌다.

3D낸드는 기존 낸드플래시의 집적도 한계를 극복하고 성능을 개선할 수 있는 기술로 삼성전자가 이 분야를 선도하고 있다. 3D낸드 기술은 집적도에 따라 32단, 48단, 64단 순으로 발전하고 있는데 아직은 삼성전자만 유일하게 48단 3D낸드를 양산하는 기술을 갖추고 있다.

최근 SSD(솔리드스테이트드라이브), 스마트폰, 서버 등으로 3D낸드 수요가 크게 늘어나는 추세를 보이면서 도시바, 인텔 등도 기술개발을 통해 시장에 진입하겠다고 예고하고 있다.

하지만 삼성증권은 “삼성전자는 3D낸드의 경쟁이 치열해지면 곧바로 64단으로 가며 격차를 더 벌릴 계획”이라며 “경쟁사들의 3D낸드시장 진입 전에 초기 시장을 독점하게 될 것”이라고 내다봤다.

삼성전자는 디스플레이부문에서도 스마트폰, 태블릿 등 중소형 LCD패널 생산라인을 플렉서블 올레드패널로 전환하는 작업을 벌이고 있다.
출처: 비지니스 포스트 일부기사문중에서...